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铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材,是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中,铟靶材在高能粒子的轰击下,铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面,形成所需的铟薄膜。
微观结构:铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间,密度高于 7.31g/cm³,热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上,这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。
超高密度成型:超高密度成型工艺(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。
晶粒定向控制:晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向,提升溅射薄膜的质量和性能,满足高端应用领域的需求。
精铟的制备需经过多步精炼,核心工艺包括:
原料预处理:以锌冶炼副产物(如浸出渣、烟灰)或含铟废料为原料,通过酸浸、萃取等方式初步分离铟。
电解精炼:将粗铟溶解为铟盐溶液(如硫酸铟),通过电解沉积得到纯度约 99.95% 的粗精铟。
深度提纯:
真空蒸馏:在高真空条件下利用铟与杂质的沸点差异(铟沸点 2080℃,杂质如锌沸点 907℃)去除低沸点杂质。
区域熔炼:通过移动加热区使杂质在固液界面重新分布,多次操作后可将纯度提升至 6N 以上。
化学提纯:利用萃取剂(如三丁基氧化膦)或离子交换树脂进一步去除微量金属离子。